ALD 이론 소개

최첨단 반도체용 ALD (Atomic Layer Deposition) / CVD (Chemical Vapor Deposition) 재료를 개발하고 있습니다. 일본의 ADEKA CORPORATION과 연계를 도모하고, 고객사와 협력하여 개발을 진행하고 있습니다.

플라즈마 증가 (PE)-ALD

재료의 반응성 증가로 저온공정 및 생산성 향상

Plasma: Ionized gas, radicals

- Radicals: Atomic or molecular species with unpaired electrons

⇒ high reactivity

low temperature process

ALD (Atomic Layer Deposition)

ALD Precursor = Metal X Ligand 라는 공식처럼 금속에 유기물을 더하여 휘발성을 부여하는 방법으로 가스 간의 화학 반응으로 형성된 입자를 기판 표면에 증착하는 방식입니다. 독성이 없고 환경 친화적이며 우수한 변동성을 가지고 있어 합성 및 핸들링이 쉬워 필름, 기판 소재의 제품을 만들 때 주로 사용됩니다,

<ALD 반응식>

<ALD 증착 방식>

ALD (Atomic Layer Deposition)의 원리와 과정

전구체의 공급과 제거, 원료기체의 공급과 제거를 여러차례 반복하는 과정으로 표면반응과 자가제어의 기능을 하며 순환합니다.

* AB(g) + CD(g) → AC(s) + BD(g, by-product), Self-limiting, Surface reaction

* Repeat N times, One or more precursor/reactant gas